Nou te pale dènyèman sou enplantasyon ion, pou egzanp:
Poukisa enplantasyon ion?
Poukisa ou dwe devye nan yon ang sèten lè ou enjekte iyon?
Sepandan, aplikasyon an nan teknoloji sa a inevitableman lakòz domaj nan estrikti a kristal nan gato Silisyòm. Sa a domaj soti nan kolizyon atomik-nivo deklannche pa iyon segondè-enèji penetrasyon lasi a Silisyòm. Lè iyon wo-enèji bonbade materyèl Silisyòm, enèji menmen sinetik yo deranje aranjman atomik orijinal la, ki mennen ale nan deformation lasi, fòmasyon pòs vid, ak akimilasyon nan atòm entèstisyo.
Anvan
Domaj mikwo sa yo pa pral sèlman fòme sant la konpoze diminye mobilite a konpayi asirans, men tou, ka lakòz distòsyon nan estrikti bann lokal yo, ki pral afekte seryezman pèfòmans elektrik la nan aparèy la.
Yo nan lòd yo elimine efè negatif nan enplantasyon ion, rkwir tèmik se yon etap kle nan repare domaj lasi. Pa mete gato Silisyòm ak enpurte enplantasyon nan yon anviwònman tanperati espesifik pou tretman tèmik, atòm lasi ka rearanje ak retabli nan yon estrikti te bay lòd.
Nan pwosesis sa a, atòm malpwòpte emigre soti nan pozisyon inisyal la nan sit la sibstitisyon lasi, konsa tankou retabli entegrite nan nan lasi a ak reyalize deklanchman elektrik la nan enpurte.
Anvan
Se konvansyonèl rkwir tèmik anjeneral te pote soti nan seri a tanperati a 600-1000 degre. Anviwònman tanperati ki wo a bay ase enèji pou difizyon atomik, men tretman chalè tan lontan ka mennen nan difizyon twòp nan enpurte ak chanje pre-ki fèt pwofil la distribisyon dopan.
Dezavantaj sa a se patikilyèman enpòtan nan pwosesis la amann nano-echèl, kote difizyon an tèmik nan enpurte ka fasilman kraze nan limit la gwosè konsepsyon ak lakòz devyasyon nan pèfòmans tranzistò.
Yo nan lòd yo kraze nan limit yo nan pwosesis rkwir tradisyonèl yo, te rapid rkwir teknoloji (RTA) parèt. Teknoloji sa a sèvi ak segondè sous enèji chalè dansite reyalize chofaj rapid ak tretman tan kout, ki gen ladan rkwir lazè batman kè, elèktron gwo bout bwa rkwir ak ksenon lanp flash rkwir.
